| Устаревшие ресурсы |
Печатный |
Александров Л.Н. Кинетика кристаллизации и перекристаллизации полупроводниковых пленок. Новосибирск: Наука, 1985. 224 с. |
|
0
|
| Устаревшие ресурсы |
Печатный |
Влияние условий получения и отжига на оптические свойства аморфного кремния. Машин А.И., Ершов А.В., Хохлов Д.А. Физика и техника полупроводников, т. 32, № 11, 1998, стр. 1390-1392. |
|
0
|
| Устаревшие ресурсы |
Печатный |
Влияние условий получения и отжига на оптические свойства аморфного кремния. Машин А.И., Ершов А.В., Хохлов Д.А. Физика и техника полупроводников, т. 32, № 7, 1998, стр. 879-881. |
|
0
|
| Каталог ЗНБ |
Печатный |
Григорьянц, Александр Григорьевич. Технологические процессы лазерной обработки [Текст]: учебное пособие для студентов высших учебных заведений, обучающихся по специальности "Машины и технология высокоэффективных процессов обработки материалов" направления подготовки "Машиностроительные технологии и оборудование" / А. Г. Григорьянц, И. Н. Шиганов, А. И. Мисюров ; под ред. А. Г. Григорьянца - Москва: Изд-во МГТУ им. Н.Э. Баумана, 2006. - 664 с. |
2006 |
1
|
| Устаревшие ресурсы |
Печатный |
Двуреченский А.В., Качурин Г.А., Нидаев Е.В., Смирнов Л.С. Импульсный отжиг полупроводниковых материалов. М.: Наука, 1982. 208 с. |
|
0
|
| Устаревшие ресурсы |
Печатный |
Действие мощного лазерного излучения. Рэди Дж. М. Мир, 1974. стр.89. |
|
0
|
| Устаревшие ресурсы |
Печатный |
Киреев П.С. Физика полупроводников. Учеб. пособие для вузов. М.: Высшая школа, 1975. – 592 с. |
|
0
|
| Устаревшие ресурсы |
Печатный |
Моделирование процессов плавления и кристаллизации монокристаллического кремния при воздействии наносекундного лазерного излучения. Жвавый С.П. Журнал технической физики, т. 70, вып. 8, 2000, стр. 58-62. |
|
0
|